AMD ha presentado una nueva patente que podría traer una mejora revolucionaria en el rendimiento de la memoria denominada como denominada HB-DIMM (High-Bandwidth DIMM).
HB-DIMM: cómo AMD planea revolucionar la velocidad de DDR5
Esta mejora estaría pensada especialmente para aplicaciones que requieren un alto ancho de banda como la inteligencia artificial o los gráficos integrados. En lugar de esperar a los avances naturales en el desarrollo de DRAM, la compañía propone una arquitectura modificada de módulos de memoria, denominada HB-DIMM (High-Bandwidth DIMM), capaz de prácticamente duplicar el ancho de banda de DDR5.
La innovación radica en la integración de lógica adicional dentro del propio módulo, incorporando controladores y chips de buffer que permiten unir dos canales de DRAM en un único canal mucho más rápido. Gracias a este enfoque, se podría pasar de velocidades de 6,4 Gb/s por pin hasta 12,8 Gb/s, sin necesidad de recurrir a nuevos chips DRAM.
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Uno de los escenarios más interesantes para esta tecnología se encuentra en las APUs e iGPUs, donde la memoria compartida siempre ha sido un cuello de botella que limita el rendimiento gráfico. Con HB-DIMM, AMD plantea un sistema híbrido. Tendríamos un canal estándar de DDR5 para tareas comunes y otro de alta eficiencia destinado a procesos que exigen un tráfico de datos mucho mayor, como la aceleración para la IA.
Aunque el concepto es prometedor, también tienen sus retos. Entre ellos se encuentran el incremento del consumo energético, la necesidad de un mejor sistema de refrigeración y la complejidad de integrarlo en plataformas ya existentes. Aun así, esta patente abre la puerta a un futuro donde el rendimiento de memoria podría multiplicarse sin depender exclusivamente de nuevas generaciones de DRAM. Os mantendremos informados.
